DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
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| 型号 | DMN10H220LVT-7 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes Inc. |
| 描述 | 100V N-channel Enhancement Mode Mosfet | Mosfet N-ch 100V 1.87A TSOT26 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.267 | $0.241 | $0.217 | $0.212 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±16V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | TSOT-26 |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 1.67W (Ta) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 其他名称: | DMN10H220LVT-7DICT |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 401pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 100V |
| 详细说明: | N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 1.87A (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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