CIG22B2R2MNE
Samsung Semiconductor
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| 型号 | CIG22B2R2MNE |
|---|---|
| 制造商 | Samsung |
| 描述 | Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 1008 Embossed T/R |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.04 | $0.036 | $0.033 | $0.032 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 击穿: | 1008 (2520 Metric) |
|---|---|
| 用法: | Shielded |
| 类型: | Multilayer |
| 尺寸/尺寸: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| 系列: | CIG22B |
| RoHS状态: | Tape & Reel (TR) |
| 评级: | - |
| 极化: | 1008 (2520 Metric) |
| 其他名称: | 1276-6217-2 |
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 12 Weeks |
| 制造商零件编号: | CIG22B2R2MNE |
| 高度 - 座高（最大）: | 0.032" (0.80mm) |
| 硬件类型: | 2.2µH |
| 频率 - 测试: | - |
| 频率 - 自谐振: | 183 mOhm |
| 展开说明: | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 183 mOhm 1008 (2520 Metric) |
| ESR（等效串联电阻）: | ±20% |
| 直径 - 肩: | - |
| 描述: | FIXED IND 2.2UH 1.1A 183 MOHM |
| 延迟时间: | 1MHz |
| 直流电阻（DCR）: | 1.2A |
| 目前评级: | 1.1A |
| 电流 - 饱和: | - |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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