APTM100A40FT1G
Microsemi
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| 型号 | APTM100A40FT1G |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | SP1 |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 480 mOhm @ 18A, 10V |
| 功率 - 最大: | 390W |
| 封装: | Bulk |
| 封装/箱体: | SP1 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 7868pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 305nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特点: | Standard |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 1000V (1kV) |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 21A 390W Chassis Mount SP1 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 21A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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