APTM100A12STG

Microsemi

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型号 APTM100A12STG
制造商 Microsemi
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:5V @ 10mA
供应商设备封装:SP3
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:120 mOhm @ 34A, 10V
功率 - 最大:1250W
封装:Bulk
封装/箱体:SP3
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:17400pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:616nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点:Standard
漏极至源极电压(Vdss):1000V (1kV)
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3
电流 - 25°C连续排水(Id):68A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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