APTC90H12T2G
Microsemi
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| 型号 | APTC90H12T2G |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 3.5V @ 3mA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | SP2 |
| 系列: | CoolMOS™ |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| 功率 - 最大: | 250W |
| 封装: | Tray |
| 封装/箱体: | SP2 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 6800pF @ 100V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET型: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET特点: | Super Junction |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 900V |
| 详细说明: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 30A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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