APTC90DAM60T1G
Microsemi
图片只作为参考
更多产品信息请查看规格书
CJJhk.com向所有购买的APTC90DAM60T1G
提供一年质保期
更多产品信息请查看规格书
CJJhk.com向所有购买的APTC90DAM60T1G
提供一年质保期
在线询价
| 型号 | APTC90DAM60T1G |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $47.405 | |||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 3.5V @ 6mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | SP1 |
| 系列: | CoolMOS™ |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 462W (Tc) |
| 封装: | Tray |
| 封装/箱体: | SP1 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 13600pF @ 100V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 540nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | Super Junction |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 900V |
| 详细说明: | N-Channel 900V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 59A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
我们可以提供APTC90DAM60T1G，使用请求报价表格请求APTC90DAM60T1G pirce和交货时间。有300万行的可用电子组件项目可以在短时间内发货，超过25万零件的电子组件的库存数量可立即交付，其中可能包括零件号APTC90DAM60T1G。根据数量，APTC90DAM60T1G的价格和交货时间和交货时间必需，可用性和仓库位置。今天和我们的销售代表将为您提供＃APTC90DAM60T1G的价格和交付。我们期待与您合作建立长期合作关系
APTC90DAM60T1G的相似型号
| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 查看 |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | 在线询价 |
|
APTC90SKM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | 在线询价 |
 |
APTC80TDU15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P | 在线询价 |
|
APTC80H29T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 | 在线询价 |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | 在线询价 |
|
APTC90H12T2G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | 在线询价 |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | 在线询价 |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | 在线询价 |