APT45GR65B2DU30

Microsemi

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型号 APT45GR65B2DU30
制造商 Microsemi
描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.4V @ 15V, 45A
测试条件:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:15ns/100ns
供应商设备封装:T-MAX™ [B2]
系列:-
反向恢复时间(trr):80ns
功率 - 最大:543W
封装:Bulk
封装/箱体:TO-247-3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:28 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:NPT
栅极电荷:203nC
详细说明:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX™ [B2]
电流 - 集电极脉冲(ICM):224A
电流 - 集电极(Ic)(最大):118A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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