APT45GP120B2DQ2G
Microsemi
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| 型号 | APT45GP120B2DQ2G |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi |
| 描述 | IGBT 1200V 113A 625W TMAX |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 270 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $22.11 | $20.448 | $18.79 | $17.463 | $16.026 | |
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 1200V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC: | 3.9V @ 15V, 45A |
| 测试条件: | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Td（开/关）@ 25°C: | 18ns/100ns |
| 开关能量: | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| 系列: | POWER MOS 7® |
| 功率 - 最大: | 625W |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-247-3 Variant |
| 其他名称: | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 32 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入类型: | Standard |
| IGBT类型: | PT |
| 栅极电荷: | 185nC |
| 详细说明: | IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole |
| 电流 - 集电极脉冲（ICM）: | 170A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 113A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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