ZXTP2012GTA
Diodes Incorporated
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| 型号 | ZXTP2012GTA |
|---|---|
| 制造商 | Diodes Inc. |
| 描述 | ZXTP2012G Series 60 V 5.5 A PNP Medium Power Low Saturation TransistorSOT-223 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 含铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.449 | $0.405 | $0.365 | $0.358 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 60V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 500mA, 5A |
| 晶体管类型: | PNP |
| 供应商设备封装: | SOT-223 |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 3W |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | TO-261-4, TO-261AA |
| 其他名称: | ZXTP2012GDKR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 120MHz |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5.5A 120MHz 3W Surface Mount SOT-223 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 100 @ 2A, 1V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 20nA (ICBO) |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 5.5A |
| 基础部件号: | ZXTP2012 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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