TTC5200(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | TTC5200(Q) |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba |
| 描述 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 23 V 15 A 3MHz 15 W Through Hole TO-3P(L) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.54 | $1.39 | $1.253 | $1.226 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 15A |
|---|---|
| 电压 - 击穿: | TO-3P(L) |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 230V |
| 系列: | - |
| RoHS状态: | Tube |
| 电阻 - 基（R 1）（欧姆）: | 30MHz |
| 功率 - 最大: | 150W |
| 极化: | TO-3PL |
| 其他名称: | Q5861625 TTC5200Q |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 16 Weeks |
| 制造商零件编号: | TTC5200(Q) |
| 频率 - 转换: | 80 @ 1A, 5V |
| 展开说明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(L) |
| 描述: | TRANS NPN 230V 15A TO-3PL |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 5µA (ICBO) |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 3V @ 800mA, 8A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | NPN |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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