TPR1000A
Microsemi
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产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 65V |
|---|---|
| 晶体管类型: | - |
| 供应商设备封装: | 55KV |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 2900W |
| 封装/箱体: | 55KV |
| 工作温度: | 200°C |
| 噪声系数（dB典型值@频率）: | - |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 获得: | 6dB |
| 频率 - 转换: | 1.09GHz |
| 详细说明: | RF Transistor 65V 80A 1.09GHz 2900W Chassis Mount 55KV |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 10 @ 1A, 5V |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 80A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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