TPH1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | TPH1R005PL,L1Q |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | MOSFET N-CH 45V 150A |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.924 | |||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | 8-SOP Advance (5x5) |
| 系列: | U-MOSIX-H |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 1.04 mOhm @ 50A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 8-PowerVDFN |
| 其他名称: | TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PLL1QTR |
| 工作温度: | 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 9600pF @ 22.5V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 99nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 45V |
| 详细说明: | N-Channel 45V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 150A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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