TPCF8A01(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8A01(TE85L)
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型号 TPCF8A01(TE85L)
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.2V @ 200µA
Vgs(最大):±12V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:VS-8 (2.9x1.5)
系列:U-MOSIII
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
功率耗散(最大):330mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-SMD, Flat Lead
其他名称:TPCF8A01(TE85L)TR
TPCF8A01(TE85L,F)
TPCF8A01(TE85L,F)-ND
TPCF8A01FTR
TPCF8A01FTR-ND
TPCF8A01TE85L
TPCF8A01TE85LF
TPCF8A01TR
TPCF8A01TR-ND
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:590pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:7.5nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特点:Schottky Diode (Isolated)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):2V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:N-Channel 20V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
电流 - 25°C连续排水(Id):3A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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