TPCF8101(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | TPCF8101(TE85L,F,M |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1.2V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | VS-8 (2.9x1.5) |
| 系列: | U-MOSIII |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 28 mOhm @ 3A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 700mW (Ta) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | 8-SMD, Flat Lead |
| 其他名称: | TPCF8101(TE85LFMCT TPCF8101FCT TPCF8101FCT-ND |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1600pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 18nC @ 5V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 1.8V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 12V |
| 详细说明: | P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 6A (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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