TP2635N3-G
Micrel / Microchip Technology
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| 型号 | TP2635N3-G |
|---|---|
| 制造商 | Microchip |
| 描述 | Mosfet, P-channel Enhancement-mode, -350V, 15 Ohm 3 TO-92 Bag Rohs Compliant: Yes |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.48 | $1.336 | $1.205 | $1.179 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | TO-92-3 |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 15 Ohm @ 300mA, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 1W (Ta) |
| 封装: | Bulk |
| 封装/箱体: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 5 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 300pF @ 25V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 2.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 350V |
| 详细说明: | P-Channel 350V 180mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 180mA (Tj) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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