TK6Q65W,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q65W,S1Q
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型号 TK6Q65W,S1Q
制造商 Toshiba
描述 Trans MOSFET N-CH 650V 5.8A 3-Pin IPAK
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 25372 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.954$0.861$0.776$0.76
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:3.5V @ 180µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:I-PAK
系列:DTMOSIV
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
功率耗散(最大):60W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-251-3 Stub Leads, IPak
其他名称:TK6Q65W,S1Q(S
TK6Q65WS1Q
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:390pF @ 300V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:11nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):650V
详细说明:N-Channel 650V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
电流 - 25°C连续排水(Id):5.8A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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