TK6A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | TK6A80E,S4X |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V TO220SIS |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.18 | $1.757 | $1.581 | $1.23 | $1.019 | |
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 4V @ 600µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | TO-220SIS |
| 系列: | π-MOSVIII |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 1.7 Ohm @ 3A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 45W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-220-3 Full Pack |
| 其他名称: | TK6A80E,S4X(S TK6A80ES4X |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1350pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 32nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 800V |
| 详细说明: | N-Channel 800V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 6A (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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