TF412ST5G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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| 型号 | TF412ST5G |
|---|---|
| 制造商 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 描述 | JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.113 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 截止(VGS关闭)@标识: | 180mV @ 1µA |
|---|---|
| 电压 - 击穿(V(BR)GSS): | 30V |
| 供应商设备封装: | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 100mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 3-XFDFN |
| 其他名称: | TF412ST5GOSTR |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 6 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4pF @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 详细说明: | JFET N-Channel 30V 10mA 100mW Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) |
| 漏极电流(ID) - 最大: | 10mA |
| 电流 - 漏极(范围Idss)@ Vds的(VGS = 0): | 1.2mA @ 10V |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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