STU75N3LLH6

STMicroelectronics

STU75N3LLH6
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型号 STU75N3LLH6
制造商 STMicroelectronics
描述 N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 33149 pcs
参考价格
(美元)
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$0.443$0.40$0.361$0.353
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:I-PAK
系列:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:5.9 mOhm @ 37.5A, 10V
功率耗散(最大):60W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
其他名称:497-12701-5
STU75N3LLH6-ND
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:2030pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:23.8nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 75A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
电流 - 25°C连续排水(Id):75A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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