STS19N3LLH6
STMicroelectronics
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| 型号 | STS19N3LLH6 |
|---|---|
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 描述 | N-channel 30 V, 0.0049 Ohm, 19 A, SO-8 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | 8-SO |
| 系列: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 2.7W (Ta) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称: | 497-12677-2 STS19N3LLH6-ND |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1690pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 17nC @ 15V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
| 详细说明: | N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 19A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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