STQ1NK60ZR-AP

STMicroelectronics

STQ1NK60ZR-AP
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型号 STQ1NK60ZR-AP
制造商 STMicroelectronics
描述 N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 49504 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.313$0.283$0.255$0.249
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4.5V @ 50µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TO-92-3
系列:SuperMESH™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:15 Ohm @ 400mA, 10V
功率耗散(最大):3W (Tc)
封装:Tape & Box (TB)
封装/箱体:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
其他名称:497-12343-3
STQ1NK60ZRAP
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:38 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:94pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:6.9nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
详细说明:N-Channel 600V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
电流 - 25°C连续排水(Id):300mA (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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