STP35N60M2-EP
STMicroelectronics
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产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | - |
|---|---|
| Vgs（最大）: | - |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | TO-220 |
| 系列: | MDmesh™ M2-EP |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | - |
| 功率耗散（最大）: | - |
| 封装/箱体: | TO-220-3 |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 制造商标准交货期: | 42 Weeks |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | - |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 600V |
| 详细说明: | N-Channel 600V Through Hole TO-220 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | - |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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