STP19NB20

STMicroelectronics

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型号	STP19NB20
制造商	STMicroelectronics
描述	Power MOSFET Transistors N-Ch 200 Volt 19 Amp
无铅状态/ RoHS状态	包含铅/ RoHS不兼容

~~有现货~~ 26887 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.277	$0.25	$0.225	$0.22

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±30V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	TO-220AB
系列:	PowerMESH™
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	180 mOhm @ 9.5A, 10V
功率耗散（最大）:	125W (Tc)
封装:	Tube
封装/箱体:	TO-220-3
其他名称:	497-2650-5
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	1000pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	40nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	10V
漏极至源极电压（Vdss）:	200V
详细说明:	N-Channel 200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
电流 - 25°C连续排水（Id）:	19A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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