STN3P6F6

STMicroelectronics

STN3P6F6
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型号 STN3P6F6
制造商 STMicroelectronics
描述 P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 package
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 42641 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.529$0.478$0.431$0.422
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合计:
$0.529

产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:SOT-223
系列:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:160 mOhm @ 1.5A, 10V
功率耗散(最大):2.6W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-261-4, TO-261AA
其他名称:497-13537-2
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:340pF @ 48V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:6.4nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
详细说明:P-Channel 60V 2.6W (Tc) Surface Mount SOT-223
电流 - 25°C连续排水(Id):-
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介绍

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