STL19N60DM2

STMicroelectronics

STL19N60DM2
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型号 STL19N60DM2
制造商 STMicroelectronics
描述 N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 2960 pcs
参考价格
(美元)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$4.15$3.702$3.035$2.458$2.073
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数量:
合计:
$4.15

产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:5V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PowerFlat™ (8x8) HV
系列:MDmesh™ DM2
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:320 mOhm @ 5.5A, 10V
功率耗散(最大):90W (Tc)
封装:Original-Reel®
封装/箱体:8-PowerVDFN
其他名称:497-16361-6
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:21nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
详细说明:N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
电流 - 25°C连续排水(Id):11A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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