STH3N150-2

STMicroelectronics

STH3N150-2
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型号 STH3N150-2
制造商 STMicroelectronics
描述 N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.5 A PowerMESH(TM) power MOSFET in H2PAK-2 package
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 15599 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$3.684$3.325$2.999$2.934
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:H²PAK
系列:PowerMESH™
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:9 Ohm @ 1.3A, 10V
功率耗散(最大):140W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
其他名称:497-13876-1
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:42 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:939pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:29.3nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):1500V
详细说明:N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK
电流 - 25°C连续排水(Id):2.5A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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