STGYA120M65DF2

STMicroelectronics

STGYA120M65DF2
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型号 STGYA120M65DF2
制造商 STMicroelectronics, Semiconductors
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 85 pcs
参考价格
(美元)
1 pcs10 pcs100 pcs600 pcs
$11.03$10.133$8.558$7.613
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$11.03

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:1.95V @ 15V, 120A
测试条件:400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:66ns/185ns
开关能量:1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
供应商设备封装:MAX247™
系列:*
反向恢复时间(trr):202ns
功率 - 最大:625W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3 Exposed Pad
其他名称:497-16976
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:42 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:NPT, Trench Field Stop
栅极电荷:420nC
详细说明:IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™
电流 - 集电极脉冲(ICM):360A
电流 - 集电极(Ic)(最大):160A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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