STGWT20H65FB

STMicroelectronics

STGWT20H65FB
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型号 STGWT20H65FB
制造商 STMicroelectronics
描述 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 13542 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$2.321$2.095$1.89$1.849
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合计:
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2V @ 15V, 20A
测试条件:400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:30ns/139ns
开关能量:77µJ (on), 170µJ (off)
供应商设备封装:TO-3P
系列:-
功率 - 最大:168W
封装:Tube
封装/箱体:TO-3P-3, SC-65-3
其他名称:497-15139-5
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:Trench Field Stop
栅极电荷:120nC
详细说明:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 168W Through Hole TO-3P
电流 - 集电极脉冲(ICM):80A
电流 - 集电极(Ic)(最大):40A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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