STGWA20M65DF2

STMicroelectronics

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型号	STGWA20M65DF2
制造商	STMicroelectronics
描述	IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 15424 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$2.359	$2.129	$1.92	$1.878

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:	650V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2V @ 15V, 20A
测试条件:	400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:	26ns/108ns
开关能量:	140µJ (on), 560µJ (off)
供应商设备封装:	TO-247 Long Leads
系列:	M
反向恢复时间（trr）:	166ns
功率 - 最大:	166W
封装/箱体:	TO-247-3
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
制造商标准交货期:	42 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入类型:	Standard
IGBT类型:	Trench Field Stop
栅极电荷:	63nC
详细说明:	IGBT Trench Field Stop 650V 40A 166W Through Hole TO-247 Long Leads
电流 - 集电极脉冲（ICM）:	80A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:	40A
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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