SSM6P36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | SSM6P36FE,LM |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba |
| 描述 | Mosfet 2P-CH 20V 0.33A ES6 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.115 | $0.104 | $0.094 | $0.092 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | ES6 (1.6x1.6) |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 150mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称: | SSM6P36FE(TE85L,F) SSM6P36FE(TE85LF)TR SSM6P36FE(TE85LF)TR-ND SSM6P36FE,LM(B SSM6P36FE,LM(T SSM6P36FELM(TTR SSM6P36FELM(TTR-ND SSM6P36FELMTR SSM6P36FETE85LF |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 43pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 1.2nC @ 4V |
| FET型: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 330mA |
| 基础部件号: | SSM6P36 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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