SSM6N815R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF
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型号 SSM6N815R,LF
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 100µA
供应商设备封装:6-TSOP-F
系列:U-MOSVIII-H
功率 - 最大:1.8W (Ta)
封装:Original-Reel®
封装/箱体:6-SMD, Flat Leads
其他名称:SSM6N815RLFDKR
工作温度:150°C
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:290pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:3.1nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate, 4V Drive
漏极至源极电压(Vdss):100V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
电流 - 25°C连续排水(Id):2A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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