SSM6N56FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | SSM6N56FE,LM |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 4000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.097 | |||||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | ES6 |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 235 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 150mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称: | SSM6N56FE,LM(B SSM6N56FE,LM(T SSM6N56FELMTR |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 55pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 1nC @ 4.5V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 800mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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