SSM6J51TUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | UF6 |
| 系列: | U-MOSIV |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 54 mOhm @ 2A, 2.5V |
| 功率耗散（最大）: | 500mW (Ta) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | 6-SMD, Flat Leads |
| 其他名称: | SSM6J51TU(TE85LF)DKR SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND SSM6J51TUTE85LFDKR |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1700pF @ 10V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 1.5V, 2.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 12V |
| 详细说明: | P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 4A (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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