SSM3J14TTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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型号 SSM3J14TTE85LF
制造商 Toshiba
描述 MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.8A -20V -8VGSS
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 2335 pcs
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:-
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:TSM
系列:U-MOSII
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:85 mOhm @ 1.35A, 10V
功率耗散(最大):700mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:SSM3J14T (TE85L,F)
SSM3J14T(TE85L,F)
SSM3J14TTE85LFTR
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:413pF @ 15V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:P-Channel 30V 2.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
电流 - 25°C连续排水(Id):2.7A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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