SQJQ402E-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ402E-T1_GE3
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型号 SQJQ402E-T1_GE3
制造商 Electro-Films (EFI) / Vishay
描述 MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
无铅状态/ RoHS状态
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:PowerPAK® 8 x 8
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:1.7 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大):150W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:PowerPAK® 8 x 8 Single
其他名称:SQJQ402E-T1_GE3-ND
SQJQ402E-T1_GE3TR
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:13500pF @ 20V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:260nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):40V
详细说明:N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
电流 - 25°C连续排水(Id):200A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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