SQJ204EP-T1_GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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| 型号 | SQJ204EP-T1_GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.57 | |||||
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V |
| 功率 - 最大: | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其他名称: | SQJ204EP-T1_GE3TR |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 47 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V |
| 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 20nC @ 10V, 50nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET特点: | Standard |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 12V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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