SPB80N10L

International Rectifier (Infineon Technologies)

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型号	SPB80N10L
制造商	Infineon
描述	Mosfet N-ch 100V 80A D2PAK
无铅状态/ RoHS状态	包含铅/ RoHS不兼容

~~有现货~~ 39949 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.138	$0.125	$0.113	$0.11

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	2V @ 2mA
Vgs（最大）:	±20V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	PG-TO263-3-2
系列:	SIPMOS®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	14 mOhm @ 58A, 10V
功率耗散（最大）:	250W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称:	SP000014350 SPB80N10LT
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	4540pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	240nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	4.5V, 10V
漏极至源极电压（Vdss）:	100V
详细说明:	N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
电流 - 25°C连续排水（Id）:	80A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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