SPB08P06PGATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB08P06PGATMA1
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型号 SPB08P06PGATMA1
制造商 International Rectifier (Infineon Technologies)
描述 MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:D²PAK (TO-263AB)
系列:SIPMOS®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:300 mOhm @ 6.2A, 10V
功率耗散(最大):42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称:SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGATMA1TR
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:420pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:13nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
详细说明:P-Channel 60V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
电流 - 25°C连续排水(Id):8.8A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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