SISA66DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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| 型号 | SISA66DN-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-Channel 30V 40A 8-Pin PowerPAK T/R |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.356 | $0.321 | $0.29 | $0.284 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | +20V, -16V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | PowerPAK® 1212-8 |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 2.3 mOhm @ 15A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 52W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | PowerPAK® 1212-8 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 制造商标准交货期: | 32 Weeks |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 3014pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 66nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
| 详细说明: | N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 40A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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