SIHP21N65EF-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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型号	SIHP21N65EF-GE3
制造商	Electro-Films (EFI) / Vishay
描述	MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 326 pcs
参考价格 (美元)	1 pcs	50 pcs	100 pcs	500 pcs	1000 pcs
参考价格 (美元)	$5.13	$4.125	$3.759	$3.044	$2.567

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	TO-220AB
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	180 mOhm @ 11A, 10V
功率耗散（最大）:	208W (Tc)
封装:	Tube
封装/箱体:	TO-220-3
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	2322pF @ 100V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	106nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	10V
漏极至源极电压（Vdss）:	650V
详细说明:	N-Channel 650V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
电流 - 25°C连续排水（Id）:	21A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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