SIB437EDKT-T1-GE3

Vishay Precision Group

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型号	SIB437EDKT-T1-GE3
制造商	Vishay
描述	MOSFET, P CH, ESD, 8V, 9A, PPK SC75; Transistor Polarity: P Channel; Continuous D
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 41281 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.167	$0.151	$0.136	$0.133

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	700mV @ 250µA
Vgs（最大）:	±5V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	PowerPAK® TSC75-6
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	34 mOhm @ 3A, 4.5V
功率耗散（最大）:	2.4W (Ta), 13W (Tc)
封装:	Cut Tape (CT)
封装/箱体:	PowerPAK® TSC-75-6
其他名称:	SIB437EDKT-T1-GE3CT
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	16nC @ 4.5V
FET型:	P-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	1.2V, 4.5V
漏极至源极电压（Vdss）:	8V
详细说明:	P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
电流 - 25°C连续排水（Id）:	9A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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