SI5980DU-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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型号	SI5980DU-T1-GE3
制造商	Electro-Films (EFI) / Vishay
描述	MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

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产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	4V @ 250µA
供应商设备封装:	PowerPAK® ChipFet Dual
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	567 mOhm @ 400mA, 10V
功率 - 最大:	7.8W
封装:	Cut Tape (CT)
封装/箱体:	PowerPAK® ChipFET™ Dual
其他名称:	SI5980DU-T1-GE3CT
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	78pF @ 50V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	3.3nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特点:	Standard
漏极至源极电压（Vdss）:	100V
详细说明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
电流 - 25°C连续排水（Id）:	2.5A
基础部件号:	SI5980
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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