SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Precision Group
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| 型号 | SI5513CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay |
| 描述 | Transistor MOSFET Array N-CH/P-CH 20V 4A/3.7A 8-Pin Chip FET T/R |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.402 | $0.363 | $0.328 | $0.32 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | 1206-8 ChipFET™ |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 3.1W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 8-SMD, Flat Lead |
| 其他名称: | SI5513CDC-T1-GE3TR SI5513CDCT1GE3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 285pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 4.2nC @ 5V |
| FET型: | N and P-Channel |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 4A, 3.7A |
| 基础部件号: | SI5513 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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