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SI4910DY-T1-GE3

Vishay Precision Group

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型号 SI4910DY-T1-GE3
制造商 Vishay
描述 Trans Mosfet N-ch 40V 6A 8-PIN SOIC N T/r
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 33755 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.481$0.435$0.392$0.383
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合计：
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产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:2V @ 250µA
供应商设备封装:8-SO
系列:TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:27 mOhm @ 6A, 10V
功率 - 最大:3.1W
封装:Original-Reel®
封装/箱体:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名称:SI4910DY-T1-GE3DKR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:855pF @ 20V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:32nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Standard
漏极至源极电压（Vdss）:40V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
电流 - 25°C连续排水（Id）:7.6A
基础部件号:SI4910
Email:info@cjjhk.com

介绍

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