SI2367DS-T1-GE3
Vishay Precision Group
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| 型号 | SI2367DS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay |
| 描述 | SI2367DS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 2.2 A; 20 V; 3-Pin TO-236 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.276 | $0.249 | $0.224 | $0.22 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | SOT-23-3 (TO-236) |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称: | SI2367DS-T1-GE3-ND SI2367DS-T1-GE3TR SI2367DST1GE3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 561pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 23nC @ 8V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 1.8V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 3.8A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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