SI1900DL-T1-GE3
Vishay Precision Group
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| 型号 | SI1900DL-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay |
| 描述 | Mosfet Dual 30V N-ch Trench |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.281 | $0.254 | $0.229 | $0.224 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | SC-70-6 |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
| 功率 - 最大: | 300mW, 270mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 制造商标准交货期: | 33 Weeks |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 1.4nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点: | Standard |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 630mA (Ta), 590mA (Ta) 300mW, 270mW Surface Mount SC-70-6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 630mA (Ta), 590mA (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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