SI1032X-T1-GE3
Vishay Precision Group
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| 型号 | SI1032X-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay |
| 描述 | SI1032X-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 0.2 A; 20 V; 3-Pin SC-75A |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.271 | $0.245 | $0.221 | $0.216 | ||
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±6V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | SC-89-3 |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| 功率耗散(最大): | 300mW (Ta) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | SC-89, SOT-490 |
| 其他名称: | SI1032X-T1-GE3TR SI1032XT1GE3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 33 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 0.75nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 1.5V, 4.5V |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3 |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 200mA (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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