SGR2N60UFDTM

Rochester Electronics

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型号 SGR2N60UFDTM
制造商 Rochester Electronics
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 2340 pcs
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.6V @ 15V, 1.2A
测试条件:300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:15ns/80ns
开关能量:30µJ (on), 13µJ (off)
供应商设备封装:D-Pak
系列:-
功率 - 最大:25W
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:9nC
详细说明:IGBT 600V 2.4A 25W Surface Mount D-Pak
电流 - 集电极脉冲(ICM):10A
电流 - 集电极(Ic)(最大):2.4A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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