SGH20N60RUFDTU
onsemi
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| 型号 | SGH20N60RUFDTU |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | Transistor, igbt, n-Chan+Diode, 600V V(Br)Ces, 32A I(C), to-247Var Rohs Compliant: Yes |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.746 | $2.479 | $2.236 | $2.187 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 600V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC: | 2.8V @ 15V, 20A |
| 测试条件: | 300V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td（开/关）@ 25°C: | 30ns/48ns |
| 开关能量: | 524µJ (on), 473µJ (off) |
| 供应商设备封装: | TO-3PN |
| 系列: | - |
| 反向恢复时间（trr）: | 95ns |
| 功率 - 最大: | 195W |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入类型: | Standard |
| IGBT类型: | - |
| 栅极电荷: | 55nC |
| 详细说明: | IGBT 600V 32A 195W Through Hole TO-3PN |
| 电流 - 集电极脉冲（ICM）: | 60A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 32A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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