SG2013J-883B
Microsemi
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| 型号 | SG2013J-883B |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi |
| 描述 | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $75.90 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| 晶体管类型: | 7 NPN Darlington |
| 供应商设备封装: | 16-CDIP |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | - |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | - |
| 其他名称: | 1259-1108 1259-1108-MIL |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 频率 - 转换: | - |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 900 @ 500mA, 2V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | - |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 600mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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